Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种M型渐变波导半导体激光器结构 | |
| 其他题名 | 一种M型渐变波导半导体激光器结构 |
| 李林; 曾丽娜; 赵志斌; 李再金; 李特; 曲轶; 张铁民; 彭鸿雁 | |
| 2018-01-12 | |
| 专利权人 | 海南师范大学 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种M型渐变波导半导体激光器结构，在衬底层上由下至上依次包括：衬底（1），缓冲层（2），Si掺杂下限制层（3），M型渐变下波导层（4），下势垒层（5），有源区（6），上势垒层（7），M型渐变上波导层（8），Zn掺杂上限制层（9），欧姆接触层(10)。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了一种M型渐变波导层结构来降低激光器的阈值电流密度和远场垂直发散角。 |
| 其他摘要 | 本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种M型渐变波导半导体激光器结构，在衬底层上由下至上依次包括：衬底（1），缓冲层（2），Si掺杂下限制层（3），M型渐变下波导层（4），下势垒层（5），有源区（6），上势垒层（7），M型渐变上波导层（8），Zn掺杂上限制层（9），欧姆接触层(10)。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了一种M型渐变波导层结构来降低激光器的阈值电流密度和远场垂直发散角。 |
| 主权项 | 一种M型渐变波导半导体激光器结构，其特征在于，在衬底层上由下至上依次包括：衬底（1），缓冲层（2），Si掺杂下限制层（3），M型渐变下波导层（4），下势垒层（5），有源区（6），上势垒层（7），M型渐变上波导层（8），Zn掺杂上限制层（9），欧姆接触层(10)。 |
| 申请日期 | 2017-10-23 |
| 专利号 | CN107579431A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN20171098934X |
| 公开（公告）号 | CN107579431A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56597 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,赵志斌,等. 一种M型渐变波导半导体激光器结构. CN107579431A[P]. 2018-01-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107579431A.PDF（136KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李林]的文章 |
| [曾丽娜]的文章 |
| [赵志斌]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李林]的文章 |
| [曾丽娜]的文章 |
| [赵志斌]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李林]的文章 |
| [曾丽娜]的文章 |
| [赵志斌]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论