一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构

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	一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构
其他题名	一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构
	李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 李特; 曲轶; 彭鸿雁; 张铁民
	2018-02-23
专利权人	海南师范大学
公开日期	2018-02-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种低阈值小发散角半导体激光器外延结构，包括顺次连接的衬底（1）、缓冲层（2）、n型下限制层（3）、n型下模式扩展层（4）、n型下低折射率层（5）、渐变下波导层（6）、下势垒层（7）、有源层（8）、上势垒层（9）、渐变上波导层（10）、p型上低折射率层（11）、p型上模式扩展层（12）、p型上限制层（13）和欧姆接触层（14）；通过优化设计低折射率层（5）和（11），以及模式扩展层（4）和（12）。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了低折射率层和模式扩展层来降低激光器垂直发散角，能够获得激光器小发散角，同时具有较小的阈值电流密度。
其他摘要	本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种低阈值小发散角半导体激光器外延结构，包括顺次连接的衬底（1）、缓冲层（2）、n型下限制层（3）、n型下模式扩展层（4）、n型下低折射率层（5）、渐变下波导层（6）、下势垒层（7）、有源层（8）、上势垒层（9）、渐变上波导层（10）、p型上低折射率层（11）、p型上模式扩展层（12）、p型上限制层（13）和欧姆接触层（14）；通过优化设计低折射率层（5）和（11），以及模式扩展层（4）和（12）。通过上述方式，本发明设计了一种新型的外延结构，引入了低折射率层和模式扩展层来降低激光器垂直发散角，能够获得激光器小发散角，同时具有较小的阈值电流密度。
主权项	一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构，其特征在于，包括：衬底（1）、缓冲层（2）、n型下限制层（3）、n型下模式扩展层（4）、n型下低折射率层（5）、渐变下波导层（6）、下势垒层（7）、有源层（8）、上势垒层（9）、渐变上波导层（10）、p型上低折射率层（11）、p型上模式扩展层（12）、p型上限制层（13）和欧姆接触层（14）。
申请日期	2017-10-26
专利号	CN107732656A
专利状态	申请中
申请号	CN201711010385.X
公开（公告）号	CN107732656A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56646
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	海南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李林,曾丽娜,李再金,等. 一种低阈值小发散角980nm半导体激光器外延结构. CN107732656A[P]. 2018-02-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107732656A.PDF（348KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文