一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法

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	一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法
其他题名	一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法
	李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 曲轶; 彭鸿雁
	2018-12-18
专利权人	海南师范大学
公开日期	2018-12-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法是一种发光波长在3微米波段的InGaAs量子点结构及其材料制备方法，属于半导体材料制造技术领域。采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~5ML。该方法制备出3微米波段InGaAs量子点材料，具有良好的量子点尺寸均匀性，易于控制，工艺稳定。
其他摘要	一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法是一种发光波长在3微米波段的InGaAs量子点结构及其材料制备方法，属于半导体材料制造技术领域。采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~5ML。该方法制备出3微米波段InGaAs量子点材料，具有良好的量子点尺寸均匀性，易于控制，工艺稳定。
申请日期	2018-08-16
专利号	CN109038220A
专利状态	申请中
申请号	CN201810936392.0
公开（公告）号	CN109038220A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92296
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	海南师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李林,曾丽娜,李再金,等. 一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法. CN109038220A[P]. 2018-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109038220A.PDF（409KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文