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自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100352116C, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2007-11-28
发明人:  康香宁;  胡晓东;  王琦;  章蓓;  杨志坚;  徐科;  陈志忠;  于彤军;  秦志新;  张国义
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Study on pulsed laser ablation and deposition of ZnO thin films by L-MBE 期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2007, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 290-301
作者:  He YongNing;  Zhang JingWen;  Yang XiaoDong;  Xu QingAn;  Zhu ChangChun;  Hou Xun
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Zno Thin Film  L-mbe  Dynamic Mechanism  
Optical and structural properties of self-assembled ZnO QD chains by L-MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 407-413
作者:  Bi Zhen;  Zhang Jingwen;  Yang Xiaodong;  Wang Dong;  Zhang Xin'an;  Weifeng, Zhang;  Hou Xun
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Low Dimensional Structures  Laser Epitaxy  Semiconducting Ii-vi Materials