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窒化物半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4408802B2, 申请日期: 2009-11-20, 公开日期: 2010-02-03
发明人:  毛利 裕一;  近江 晋
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光集積素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009200091A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03
发明人:  岡本 健志;  工藤 耕治
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GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征 期刊论文
光子学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 171-174
作者:  Wang Shanshan(王珊珊);  Wang Xuewen(王雪文);  Yan Junfeng(阎军峰);  Duan Xiaofeng(段晓峰);  Zhao Wu(赵武);  Zhang Zhiyong(张志勇)
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