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窒化物半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4408802B2, 申请日期: 2009-11-20, 公开日期: 2010-02-03
发明人:  毛利 裕一;  近江 晋
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光集積素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009200091A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03
发明人:  岡本 健志;  工藤 耕治
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