中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Method of producing a semiconductor device by bonding silver oxide on a surface of a semiconductor element with silver or silver oxide on a surface of a base 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP3151268A2, 申请日期: 2017-04-05, 公开日期: 2017-04-05
发明人:  KURAMOTO, MASAFUMI;  OGAWA, SATORU;  NIWA, MIKI
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/12/30
Light emitting diode package, light source module, and lighting system including the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2562832A2, 申请日期: 2013-02-27, 公开日期: 2013-02-27
发明人:  JUNG, SU JUNG;  MOON,, YON TAE;  CHO, YOUNG JUN;  HWANG, SON KYO;  KIM, BYUNG MOK;  KWON, SEO YEON
Adobe PDF(1117Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/30
Optical element and optoelectronic component comprising such an optical element 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8168991, 申请日期: 2012-05-01, 公开日期: 2012-05-01
发明人:  KRAUTER, GERTRUD
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor light emitting devices with non-epitaxial upper cladding 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7856040, 申请日期: 2010-12-21, 公开日期: 2010-12-21
发明人:  BOUR, DAVID P.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  YANG, ZHIHONG
Adobe PDF(1006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/12/24
光集積化酸化物装置および光集積化酸化物装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4221765B2, 申请日期: 2008-11-28, 公开日期: 2009-02-12
发明人:  鈴木 真之
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/24
Conductive element with lateral oxidation barrier 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1986295A2, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
发明人:  JEWELL, JACK L.
Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/12/31
Oberflächenemittierender Halbleiter-Laser (VCSEL) mit erhöhter Strahlungsausbeute 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE10048443B4, 申请日期: 2007-09-06, 公开日期: 2007-09-06
发明人:  ALBRECHT TONY;  HOFMANN JOSEF;  JACOB ULRICH;  JANES STEFAN
Adobe PDF(160Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1496551A2, 申请日期: 2005-01-12, 公开日期: 2005-01-12
发明人:  ONO, MASATO
Adobe PDF(592Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/01/13
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  NAGAHAMA, SHINICHI;  SANO, MASAHIKO;  YANAMOTO, TOMOYA;  SAKAMOTO, KEIJI;  YAMAMOTO, MASASHI;  MORITA, DAISUKE
Adobe PDF(1090Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/12/30