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Oberflächenemittierender Halbleiter-Laser (VCSEL) mit erhöhter Strahlungsausbeute
其他题名Oberflächenemittierender Halbleiter-Laser (VCSEL) mit erhöhter Strahlungsausbeute
ALBRECHT TONY; HOFMANN JOSEF; JACOB ULRICH; JANES STEFAN
2007-09-06
专利权人OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
公开日期2007-09-06
授权国家德国
专利类型授权发明
摘要-
其他摘要-
主权项-
申请日期2000-09-29
专利号DE10048443B4
专利状态失效
申请号DE10048443
公开(公告)号DE10048443B4
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/042
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46697
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
推荐引用方式
GB/T 7714
ALBRECHT TONY,HOFMANN JOSEF,JACOB ULRICH,et al. Oberflächenemittierender Halbleiter-Laser (VCSEL) mit erhöhter Strahlungsausbeute. DE10048443B4[P]. 2007-09-06.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
DE10048443B4.PDF(160KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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