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半導体構造 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007535137A, 申请日期: 2007-11-29, 公开日期: 2007-11-29
发明人:  インドレコーファー·ミヒァエル;  レート·ハンス;  フェルスター·アーノルト
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Oberflächenemittierender Halbleiter-Laser (VCSEL) mit erhöhter Strahlungsausbeute 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE10048443B4, 申请日期: 2007-09-06, 公开日期: 2007-09-06
发明人:  ALBRECHT TONY;  HOFMANN JOSEF;  JACOB ULRICH;  JANES STEFAN
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THz辐射脉冲的产生与检测 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
作者:  刘明利
Microsoft Word(2204Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:267/1  |  提交时间:2011/10/09
Thz脉冲  光电导取样  电光取样  序列脉冲  
Study on pulsed laser ablation and deposition of ZnO thin films by L-MBE 期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2007, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 290-301
作者:  He YongNing;  Zhang JingWen;  Yang XiaoDong;  Xu QingAn;  Zhu ChangChun;  Hou Xun
Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:441/0  |  提交时间:2010/01/12
Zno Thin Film  L-mbe  Dynamic Mechanism  
VCSEL mit monolitisch integriertem Photodetektor und hybriden Spiegeln 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE602004004018T2, 申请日期: 2007-05-31, 公开日期: 2007-05-31
发明人:  KANEKO TSUYOSHI
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1565nm激光泵浦Tm∶Ho共掺石英光纤激光器稳态特性 期刊论文
激光与红外, 2007, 卷号: 37, 期号: 12, 页码: 1265-1269
作者:  周俊;  董淑福;  周义建;  李维民;  陈国夫
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GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究 期刊论文
光子学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 405-411
作者:  阮驰;  赵卫;  陈国夫;  朱少岚;  杨宏春;  阮成礼
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:533/2  |  提交时间:2010/01/12
有限厚大孔径光电导天线产生的太赫兹辐射远场时域特性分析 期刊论文
光子学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 599-602
作者:  李凡;  张同意;  王屹山;  朱少岚;  赵卫;  侯洵
Adobe PDF(226Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:440/1  |  提交时间:2010/01/12