| GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究 | |
阮驰 ; 赵卫; 陈国夫; 朱少岚; 杨宏春; 阮成礼
| |
| 作者部门 | 瞬态光学国家重点实验室 |
| 2007 | |
| 发表期刊 | 光子学报
 |
| ISSN | 1004-4213 |
| 卷号 | 36期号:3页码:405-411 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/7070 |
| 专题 | 瞬态光学研究室 |
| 通讯作者 | 阮驰 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阮驰,赵卫,陈国夫,等. GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究[J]. 光子学报,2007,36(3):405-411. |
| APA | 阮驰,赵卫,陈国夫,朱少岚,杨宏春,&阮成礼.(2007).GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究.光子学报,36(3),405-411. |
| MLA | 阮驰,et al."GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究".光子学报 36.3(2007):405-411. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 1009-GaAs与InP半导体光导开关（724KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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