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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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分布帰還形半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3748654B2, 申请日期: 2005-12-09, 公开日期: 2006-02-22
发明人:  阿部 博明
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半导体激光器及其制造工艺 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1697271A, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  奥田哲朗
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DBR using the combination of II-VI and III-V materials for the application to 3-55 mum 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243887A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI
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InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON
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Interband optical-absorption spectra of a finite quantum dot superlattice in a cylindrical nanowire 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 98, 期号: 9
作者:  Zhang, TY;  Zhao, W;  Cao, JC;  Qasim, G
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分布反馈型激光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1224146C, 申请日期: 2005-10-19, 公开日期: 2005-10-19
发明人:  奥贯雄一郎
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3718129B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  長島 靖明;  篠根 克典;  菊川 知之
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半導体装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3716039B2, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  直江 和彦
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Method of forming laser mesa by reactive ion etching followed by in situ etching in regrowth reactor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2411520A, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
发明人:  DANIELE, BERTONE;  SIMONE, CODATO;  ROBERTA, CAMPI
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