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InP based long wavelength VCSEL 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07
发明人:  WANG, TZU-YU;  KWON, HOKI;  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON;  KIM, JIN K.
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Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23
发明人:  WANG, TZU-YU;  KIM, JIN K.;  KWON, HOKI;  PARK, GYOUNGWON;  RYOU, JAE-HYUN
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DBR using the combination of II-VI and III-V materials for the application to 3-55 mum 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243887A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI
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InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON
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GaAs/AL(Ga)As distributed bragg reflector on InP 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6822995, 申请日期: 2004-11-23, 公开日期: 2004-11-23
发明人:  KWON, HOKI
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Material system for Bragg reflectors in long wavelength VCSELs 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20040120375A1, 申请日期: 2004-06-24, 公开日期: 2004-06-24
发明人:  KWON, HOKI
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