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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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WOS被引频次降序
Externally-Strain-Engineered Semiconductor Photonic and Electronic Devices and Assemblies and Methods of Making Same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20190044307A1, 申请日期: 2019-02-07, 公开日期: 2019-02-07
发明人:
RYOU, JAE-HYUN
;
SHERVIN, SHAHAB
;
KIM, SEUNG HWAN
收藏
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2019/12/30
InP based long wavelength VCSEL
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07
发明人:
WANG, TZU-YU
;
KWON, HOKI
;
RYOU, JAE-HYUN
;
PARK, GYOUNGWON
;
KIM, JIN K.
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/12/24
Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23
发明人:
WANG, TZU-YU
;
KIM, JIN K.
;
KWON, HOKI
;
PARK, GYOUNGWON
;
RYOU, JAE-HYUN
Adobe PDF(275Kb)
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收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2019/12/26
Dielectric VCSEL gain guide
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7277461, 申请日期: 2007-10-02, 公开日期: 2007-10-02
发明人:
RYOU, JAE-HYUN
;
PARK, GYOUNGWON
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2019/12/26
VCSEL having thermal management
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7075962, 申请日期: 2006-07-11, 公开日期: 2006-07-11
发明人:
RYOU, JAE-HYUN
;
RINGLE, MICHAEL D.
;
LIU, YUE
Adobe PDF(261Kb)
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收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2019/12/26
InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:
KWON, HOKI
;
WANG, TZU-YU
;
RYOU, JAE-HYUN
;
KIM, JIN K.
;
PARK, GYOUNGWON
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2020/01/18
Pseudomorphic layer in tunnel junction VCSEL
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050002430A1, 申请日期: 2005-01-06, 公开日期: 2005-01-06
发明人:
RYOU, JAE-HYUN
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2019/12/30
Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
发明人:
CHANG, YING-LAN
;
CORZINE, SCOTT W.
;
DUPUIS, RUSSELL D.
;
NOH, MIN SOO
;
RYOU, JAE HYUN
;
TAN, MICHAEL R. T.
;
TANDON, ASHISH
Adobe PDF(286Kb)
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2019/12/26