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Externally-Strain-Engineered Semiconductor Photonic and Electronic Devices and Assemblies and Methods of Making Same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20190044307A1, 申请日期: 2019-02-07, 公开日期: 2019-02-07
发明人:  RYOU, JAE-HYUN;  SHERVIN, SHAHAB;  KIM, SEUNG HWAN
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InP based long wavelength VCSEL 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7433381, 申请日期: 2008-10-07, 公开日期: 2008-10-07
发明人:  WANG, TZU-YU;  KWON, HOKI;  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON;  KIM, JIN K.
收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2019/12/24
Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7286584, 申请日期: 2007-10-23, 公开日期: 2007-10-23
发明人:  WANG, TZU-YU;  KIM, JIN K.;  KWON, HOKI;  PARK, GYOUNGWON;  RYOU, JAE-HYUN
Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:56/0  |  提交时间:2019/12/26
Dielectric VCSEL gain guide 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7277461, 申请日期: 2007-10-02, 公开日期: 2007-10-02
发明人:  RYOU, JAE-HYUN;  PARK, GYOUNGWON
收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2019/12/26
VCSEL having thermal management 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7075962, 申请日期: 2006-07-11, 公开日期: 2006-07-11
发明人:  RYOU, JAE-HYUN;  RINGLE, MICHAEL D.;  LIU, YUE
Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2019/12/26
InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050243881A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
发明人:  KWON, HOKI;  WANG, TZU-YU;  RYOU, JAE-HYUN;  KIM, JIN K.;  PARK, GYOUNGWON
收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2020/01/18
Pseudomorphic layer in tunnel junction VCSEL 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050002430A1, 申请日期: 2005-01-06, 公开日期: 2005-01-06
发明人:  RYOU, JAE-HYUN
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Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
发明人:  CHANG, YING-LAN;  CORZINE, SCOTT W.;  DUPUIS, RUSSELL D.;  NOH, MIN SOO;  RYOU, JAE HYUN;  TAN, MICHAEL R. T.;  TANDON, ASHISH
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2019/12/26