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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3911342B2, 申请日期: 2007-02-02, 公开日期: 2007-05-09
发明人:  瀧口 透
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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3752369B2, 申请日期: 2005-12-16, 公开日期: 2006-03-08
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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複合光デバイスの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000275460A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  瀧口 透;  鈴木 大輔;  竹見 政義;  多田 仁史
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999220209A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10
发明人:  瀧口 透;  木村 達也
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半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335756A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  鈴木 大輔;  木村 達也;  瀧口 透
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電界吸収型光変調器と光変調器集積型半導体レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998228005A, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25
发明人:  瀧口 透
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半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997260776A, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1997-10-03
发明人:  瀧口 透
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995170022A, 申请日期: 1995-07-04, 公开日期: 1995-07-04
发明人:  瀧口 透;  後藤 勝彦
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半導体光変調器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995104222A, 申请日期: 1995-04-21, 公开日期: 1995-04-21
发明人:  影山 茂己;  後藤 勝彦;  瀧口 透
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変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277869A, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  高木 和久;  多田 仁史;  瀧口 透
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