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HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响 期刊论文
光子学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 823-826
作者:  Zhao Wu(赵武);  Zhang Zhiyong(张志勇);  Di Chunxue(翟春雪);  Deng Zhouhu(邓周虎)
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GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征 期刊论文
光子学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 1, 页码: 171-174
作者:  Wang Shanshan(王珊珊);  Wang Xuewen(王雪文);  Yan Junfeng(阎军峰);  Duan Xiaofeng(段晓峰);  Zhao Wu(赵武);  Zhang Zhiyong(张志勇)
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Electronic Structure of PbxSr1-xTiO3 期刊论文
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2009, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 61-66
作者:  Zhang Fu-Chun;  Zhang Zhi-Yong;  Zhang Wei-Hu;  Yan Jun-Feng;  Yun Jiang-Ni
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Ferroeletronic  (Pb  Density Functional Theory  Sr)Tio3  Virtual Crystal Approximate  
超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文) 期刊论文
电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 61-64
作者:  Liu Xiaofeng(刘晓峰);  Feng Yuchun(冯玉春);  Peng Dongsheng(彭冬生)
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预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜 期刊论文
电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 57-60
作者:  Peng Dongsheng(彭冬生);  Feng Yuchun(冯玉春);  Niu Hanben(牛憨笨)
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碳化硅薄膜制备及其场发射特性 期刊论文
天津大学学报, 2008, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 28-32
作者:  Zhao Wu(赵武);  Zhang Zhiyong(张志勇);  Yan Junfeng(闫军锋);  贠 Jiangni(贠江妮);  Deng Zhouhu(邓周虎)
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热处理对纳米金刚石涂层场发射性能的影响 期刊论文
发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 387-392
作者:  Di Chunxue(翟春雪);  Zhang Zhiyong(张志勇);  Wang Xuewen(王雪文)
Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：313/1  |  提交时间：2011/10/08
A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610
作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei;  Niu Han-Ben
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Surface Treated  Mocvd  Lateral Epitaxial Overgrown(Leo)  Gan Film