| 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文) | |
| Liu Xiaofeng(刘晓峰); Feng Yuchun(冯玉春); Peng Dongsheng(彭冬生) | |
| 作者部门 | 研究生部 |
| 2008 | |
| 发表期刊 | 电子器件
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| ISSN | 1005-9490 |
| 卷号 | 31期号:1页码:61-64 |
| 产权排序 | 2 |
| 学科领域 | 物理科学和化学 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/11665 |
| 专题 | 研究生部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu Xiaofeng(刘晓峰),Feng Yuchun(冯玉春),Peng Dongsheng(彭冬生). 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)[J]. 电子器件,2008,31(1):61-64. |
| APA | Liu Xiaofeng,Feng Yuchun,&Peng Dongsheng.(2008).超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文).电子器件,31(1),61-64. |
| MLA | Liu Xiaofeng,et al."超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)".电子器件 31.1(2008):61-64. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度（794KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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