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Analysis of InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes With Multiplication Width in Sub-Micron 期刊论文
IEEE Journal of Quantum Electronics, 2024, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 1-7
作者:  Qiao, Kai;  Chang, Yu;  Xu, Zefang;  Yin, Fei;  Liu, Liyu;  Wang, Jieying;  Su, Chang;  Xu, Linmeng;  Fang, Mengyan;  Liu, Chunliang;  Tian, Jinshou;  Wang, Xing
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InGaAs/InP  single-photon avalanche photodiodes (SPADs)  time jitter  multiplication  
Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响 期刊论文
光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6
作者:  郭可飞;  尹飞;  刘立宇;  乔凯;  李鸣;  汪韬;  房梦岩;  吉超;  屈有山;  田进寿;  王兴
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雪崩光电二极管  InGaAs/InP  Zn扩散  单光子探测  雪崩击穿概率  
InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2023
作者:  郭可飞
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单光子探测  单光子雪崩光电二极管阵列  InGaAs/InP  Zn 扩散  雪崩击穿概率  
快响应InP/InGaAs/InP红外光电阴极的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  孙巧霞
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快响应  Inp/ingaas/inp  红外光电阴极  能带结构  时间响应  光谱响应  增透膜  
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP
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Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence