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Efficient Power Scaling of Broad-Area Laser Diodes from 915 to 1064 nm 会议论文
High-Power Diode Laser Technology XXII, San Francisco, CA, United states, 2024-01-28
作者:  Yang, Guowen;  Liu, Yuxian;  Zhao, Yuliang;  Lan, Yu;  Zhao, Yongming;  Tang, Song;  Wu, Wenjun;  Yao, Zhonghui;  Li, Ying;  Di, Jiuwen;  Jixiang, Lin;  Demir, Abdullah
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Semiconductor laser  laser diode  high power  high efficiency  
一种半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208272357U, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  颜建;  胡双元;  吴文俊;  黄勇;  米卡·瑞桑
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一种半导体激光器芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108512035A, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2018-09-07
发明人:  颜建;  胡双元;  吴文俊;  黄勇;  米卡·瑞桑
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2020/01/13
AlGaN/GaN太赫兹量子级联激光器有源区结构的模拟设计方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102508940B, 申请日期: 2013-07-31, 公开日期: 2013-07-31
发明人:  张迪;  赵立萍;  孙文军;  孙京南;  李孟洋;  支洪武;  李娟
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基于半导体制冷器的同轴激光器装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201966480U, 申请日期: 2011-09-07, 公开日期: 2011-09-07
发明人:  林文军;  吴振祥;  王宏
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