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基于半导体制冷器的同轴激光器装置
其他题名基于半导体制冷器的同轴激光器装置
林文军; 吴振祥; 王宏
2011-09-07
专利权人无锡雷华网络技术有限公司
公开日期2011-09-07
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型涉及一种基于半导体制冷器的同轴激光器装置,它包括散热底座,在所述散热底座上设置半导体制冷器、热沉、同轴激光器,印制板与同轴激光器和半导体制冷器相连,同轴激光器的表面与热沉紧密接触,与印制板相连的采温电阻插入热沉,所述半导体制冷器、热沉、同轴激光器、印制板和采温电阻封装在外壳内,同轴激光器的尾部连接光纤的部分伸出外壳,印制板的引脚伸出外壳。其中同轴激光器和半导体制冷器焊接在一起,采温电阻插入热沉,精确采集热沉温度,外壳底座和外壳上盖通过粘胶连接,从而为同轴激光器的稳定可靠工作提供了保证。本实用新型优点是结构简单,较原先的DFB激光器降低了生产难度和成本,同时保证了同轴激光器的热稳定性。
其他摘要本实用新型涉及一种基于半导体制冷器的同轴激光器装置,它包括散热底座,在所述散热底座上设置半导体制冷器、热沉、同轴激光器,印制板与同轴激光器和半导体制冷器相连,同轴激光器的表面与热沉紧密接触,与印制板相连的采温电阻插入热沉,所述半导体制冷器、热沉、同轴激光器、印制板和采温电阻封装在外壳内,同轴激光器的尾部连接光纤的部分伸出外壳,印制板的引脚伸出外壳。其中同轴激光器和半导体制冷器焊接在一起,采温电阻插入热沉,精确采集热沉温度,外壳底座和外壳上盖通过粘胶连接,从而为同轴激光器的稳定可靠工作提供了保证。本实用新型优点是结构简单,较原先的DFB激光器降低了生产难度和成本,同时保证了同轴激光器的热稳定性。
授权日期2011-09-07
申请日期2011-03-09
专利号CN201966480U
专利状态授权
申请号CN201120059526
公开(公告)号CN201966480U
IPC 分类号H01S3/042 | H01S3/02
专利代理人殷红梅
代理机构无锡市大为专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39301
专题半导体激光器专利数据库
作者单位无锡雷华网络技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
林文军,吴振祥,王宏. 基于半导体制冷器的同轴激光器装置. CN201966480U[P]. 2011-09-07.
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