一种半导体激光器芯片及其制作方法

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	一种半导体激光器芯片及其制作方法
其他题名	一种半导体激光器芯片及其制作方法
	颜建; 胡双元; 吴文俊; 黄勇; 米卡·瑞桑
	2018-09-07
专利权人	苏州矩阵光电有限公司
公开日期	2018-09-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。
申请日期	2018-04-09
专利号	CN108512035A
专利状态	申请中
申请号	CN201810311423.3
公开（公告）号	CN108512035A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/042
专利代理人	马永芬
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73508
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州矩阵光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	颜建,胡双元,吴文俊,等. 一种半导体激光器芯片及其制作方法. CN108512035A[P]. 2018-09-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108512035A.PDF（435KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文