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| High birefringence, low loss, and flattened dispersion photonic crystal fiber for terahertz application 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28, 期号: 11 作者: Wang, Dou-Dou ; Mu, Chang-Long; Kong, De-Peng ; Guo, Chen-Yu
Adobe PDF(631Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:280/4  |  提交时间:2019/12/23 terahertz photonic crystal fiber birefringence loss dispersion |
| 第13族氮化物晶体、所述晶体衬底及所述晶体制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103668460B, 申请日期: 2016-09-21, 公开日期: 2016-09-21 发明人: 林昌弘; 佐藤隆; 木村千春; 三好直哉; 村上明繁; 三宅信辅; 和田纯一; 皿山正二
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| III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102934301B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22 发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102668282B, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15 发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102668279B, 申请日期: 2014-09-10, 公开日期: 2014-09-10 发明人: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
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| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102763293B, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN102341977B, 申请日期: 2013-06-19, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
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| 第III族氮化物半導體雷射元件 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: TW201312886A, 申请日期: 2013-03-16, 公开日期: 2013-03-16 发明人: 住友隆道; 京野孝史; 上野昌紀; 善積祐介; 鹽谷陽平; 足立真寬; 高木慎平; 梁島克典
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| Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03 发明人: 善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102696158A, 申请日期: 2012-09-26, 公开日期: 2012-09-26 发明人: 善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
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