III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法

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	III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法
其他题名	III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法
	善积祐介; 高木慎平; 池上隆俊; 上野昌纪; 片山浩二
	2012-09-26
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2012-09-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
其他摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
申请日期	2010-11-17
专利号	CN102696158A
专利状态	失效
申请号	CN201080060965.X
公开（公告）号	CN102696158A
IPC 分类号	H01S5/10 \| H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85702
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	善积祐介,高木慎平,池上隆俊,等. III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及评估因形成刻划槽所致损伤的方法. CN102696158A[P]. 2012-09-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102696158A.PDF（6528KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文