Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法

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	Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法
其他题名	Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法
	善积祐介; 高木慎平; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
	2012-10-03
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2012-10-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。
其他摘要	本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。
申请日期	2010-12-28
专利号	CN102714397A
专利状态	失效
申请号	CN201080009778.9
公开（公告）号	CN102714397A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85418
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	善积祐介,高木慎平,盐谷阳平,等. Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法. CN102714397A[P]. 2012-10-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102714397A.PDF（2708KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文