III族氮化物半导体激光器元件的制作方法

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	III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
其他题名	III族氮化物半导体激光器元件的制作方法
	高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
	2014-10-22
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2014-10-22
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。
其他摘要	提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。
授权日期	2014-10-22
申请日期	2010-12-27
专利号	CN102934301B
专利状态	失效
申请号	CN201080067313.9
公开（公告）号	CN102934301B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39852
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光器元件的制作方法. CN102934301B[P]. 2014-10-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102934301B.PDF（4012KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文