中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种降低微腔半导体激光器阈值的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109659810A, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
发明人:  张昭宇;  刘秀;  方铉;  周陶杰;  项国洪;  项博媛
Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2019/12/30
半导体微腔激光器的制备方法和半导体 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109286131A, 申请日期: 2019-01-29, 公开日期: 2019-01-29
发明人:  张昭宇;  刘秀;  方铉;  周陶杰;  项国洪;  项博媛
Adobe PDF(837Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2020/01/18
一种用于激光器的半导体制冷片温控装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208001072U, 申请日期: 2018-10-23, 公开日期: 2018-10-23
发明人:  赵玉倩;  张秀芳;  叶一东;  吴权;  李小青;  冯新;  高旭;  张帆;  崔家珮;  张洪流;  王能东
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2019/12/23
一种用于激光器的半导体制冷片温控装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108346965A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
发明人:  赵玉倩;  张秀芳;  叶一东;  吴权;  李小青;  冯新;  高旭;  张帆;  崔家珮;  张洪流;  王能东
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：164/0  |  提交时间：2020/01/13
GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107809057A, 申请日期: 2018-03-16, 公开日期: 2018-03-16
发明人:  孙慧卿;  张秀;  郭志友;  侯玉菲;  汪鑫;  龚星;  徐智鸿;  刘天意
Adobe PDF(100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN基新型结构激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107742825A, 申请日期: 2018-02-27, 公开日期: 2018-02-27
发明人:  孙慧卿;  汪鑫;  郭志友;  张秀;  侯玉菲;  龚星;  徐智鸿;  刘天意
Adobe PDF(93Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2020/01/18
InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107579432A, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2018-01-12
发明人:  郭志友;  侯玉菲;  孙慧卿;  汪鑫;  张秀;  龚星;  徐智鸿;  刘天意
Adobe PDF(124Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2020/01/18
Proton-implanted optical planar waveguides in Yb3+-doped silicate glasses 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 289, 页码: 18-21
作者:  Liu, Chun-Xiao;  Cheng, Shu;  Guo, Hai-Tao;  Li, Wei-Nan;  Liu, Xiu-Hong;  Wei, Wei;  Peng, Bo
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：430/2  |  提交时间：2013/06/17
Waveguide  Ion implantatIon  Fluorescence  Ytterbium-doped Glass  
离轴椭球面的反射式补偿检验 期刊论文
红外与激光工程, 2012, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 2152-2155
作者:  李红光;  刘秀梅;  达争尚
Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：349/2  |  提交时间：2013/04/23
一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101935009B, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  王杰;  韩勤;  杨晓红;  王秀平;  刘少卿
Adobe PDF(2797Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2019/12/26