半导体微腔激光器的制备方法和半导体

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	半导体微腔激光器的制备方法和半导体
其他题名	半导体微腔激光器的制备方法和半导体
	张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪; 项博媛
	2019-01-29
专利权人	香港中文大学(深圳)
公开日期	2019-01-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种半导体微腔激光器的制备方法和半导体，该方法包括：对基片的衬底层进行预处理，得到第一基片；在第一基片的衬底层上生成硬掩膜，得到第二基片；利用旋涂机对第二基片旋涂电子胶，得到第三基片；按照预设图案对第三基片中的电子胶进行书写，得到第四基片；对第四基片上暴露的硬掩膜进行刻蚀，并对刻蚀后的电子胶进行清洗，得到第五基片；按照预设图案对第五基片进行刻蚀，并清洗刻蚀后的硬掩膜，得到第六基片；对第六基片进行柱状架空结构刻蚀，得到半导体微腔激光器。采用分子束外延方式生长半导体材料，随后进行RTA处理，最后通过ICP刻蚀方式获得腔体尺寸可调的微腔激光器，这种制备方式简捷并节省了资源。
其他摘要	本发明提供了一种半导体微腔激光器的制备方法和半导体，该方法包括：对基片的衬底层进行预处理，得到第一基片；在第一基片的衬底层上生成硬掩膜，得到第二基片；利用旋涂机对第二基片旋涂电子胶，得到第三基片；按照预设图案对第三基片中的电子胶进行书写，得到第四基片；对第四基片上暴露的硬掩膜进行刻蚀，并对刻蚀后的电子胶进行清洗，得到第五基片；按照预设图案对第五基片进行刻蚀，并清洗刻蚀后的硬掩膜，得到第六基片；对第六基片进行柱状架空结构刻蚀，得到半导体微腔激光器。采用分子束外延方式生长半导体材料，随后进行RTA处理，最后通过ICP刻蚀方式获得腔体尺寸可调的微腔激光器，这种制备方式简捷并节省了资源。
申请日期	2018-11-29
专利号	CN109286131A
专利状态	申请中
申请号	CN201811440520.9
公开（公告）号	CN109286131A
IPC 分类号	H01S5/10
专利代理人	逯恒
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92326
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	香港中文大学(深圳)
推荐引用方式 GB/T 7714	张昭宇,刘秀,方铉,等. 半导体微腔激光器的制备方法和半导体. CN109286131A[P]. 2019-01-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109286131A.PDF（837KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文