Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法 | |
| 其他题名 | GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法 |
| 孙慧卿; 张秀; 郭志友; 侯玉菲; 汪鑫; 龚星; 徐智鸿; 刘天意 | |
| 2018-03-16 | |
| 专利权人 | 华南师范大学 |
| 公开日期 | 2018-03-16 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0 |
| 其他摘要 | 本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0 |
| 申请日期 | 2017-10-26 |
| 专利号 | CN107809057A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201711013670.7 |
| 公开（公告）号 | CN107809057A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/125 |
| 专利代理人 | 林伟斌 | 郑永泉 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92177 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙慧卿,张秀,郭志友,等. GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法. CN107809057A[P]. 2018-03-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107809057A.PDF（100KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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