Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 |
| 郭志友; 侯玉菲; 孙慧卿; 汪鑫; 张秀; 龚星; 徐智鸿; 刘天意 | |
| 2018-01-12 | |
| 专利权人 | 华南师范大学 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种InGaN/AlInN量子阱激光器，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下包覆层、下V型波导层、有源区、电子阻挡层、上V型波导层、上包覆层、欧姆接触层和电极，所述下V型波导层和上V型波导层均为AlGaN材料，所述有源区为InGaN/AlInN量子阱层。所述InGaN/AlInN量子阱激光器以AlGaN材料为波导层、有源区以AlInN材料作为垒层、InGaN作为阱层，降低了材料的晶格失配，有源区中极化现象弱，极化场和腔面损耗小，阀值电流低，量子阱激光器的光学性能优异。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种InGaN/AlInN量子阱激光器，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下包覆层、下V型波导层、有源区、电子阻挡层、上V型波导层、上包覆层、欧姆接触层和电极，所述下V型波导层和上V型波导层均为AlGaN材料，所述有源区为InGaN/AlInN量子阱层。所述InGaN/AlInN量子阱激光器以AlGaN材料为波导层、有源区以AlInN材料作为垒层、InGaN作为阱层，降低了材料的晶格失配，有源区中极化现象弱，极化场和腔面损耗小，阀值电流低，量子阱激光器的光学性能优异。 |
| 申请日期 | 2017-10-26 |
| 专利号 | CN107579432A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201711015135.5 |
| 公开（公告）号 | CN107579432A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 林伟斌 | 郑永泉 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92144 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭志友,侯玉菲,孙慧卿,等. InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法. CN107579432A[P]. 2018-01-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107579432A.PDF（124KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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