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一种发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103715319B, 申请日期: 2016-12-21, 公开日期: 2016-12-21
发明人:  张楠;  郝茂盛
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一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
发明人:  周健华;  郝茂盛;  颜建锋;  潘尧波;  周圣明
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用于光电器件的多量子阱结构的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102103990A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
发明人:  李淼;  颜建锋;  周健华;  徐黎杰;  郝茂盛
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一种发光二极管芯片制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100541850C, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16
发明人:  朱广敏;  张楠;  郝茂盛;  齐胜利;  杨卫桥;  陈志忠;  张国义
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Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
发明人:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI
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