一种发光二极管及其制作方法

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	一种发光二极管及其制作方法
其他题名	一种发光二极管及其制作方法
	张楠; 郝茂盛
	2016-12-21
专利权人	上海蓝光科技有限公司
公开日期	2016-12-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种发光二极管及其制作方法。该方法先在衬底一表面制备选择性生长层；然后在所述衬底表面的非选择性生长层区选择性外延生长发光结构层，所述发光结构层呈倒梯形结构且至少包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；接着采用光刻技术、ICP技术或RIE技术刻蚀至N电极区域；制作透明导电层；制作P电极与N电极；在所述透明导电层上制备第一反射镜层，在衬底另一表面制备第二反射镜层；最后裂片完成独立发光二极管的制作。本发明采用外延选择性生长技术制作的发光二极管，能降低芯片对光线的全反射吸收，有利于光线从发光二极管内部射出，提高光在芯片侧壁的出光效率，同时利用双向反射镜提高了荧光粉的激发效率，进而提高芯片亮度。
其他摘要	本发明提供一种发光二极管及其制作方法。该方法先在衬底一表面制备选择性生长层；然后在所述衬底表面的非选择性生长层区选择性外延生长发光结构层，所述发光结构层呈倒梯形结构且至少包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；接着采用光刻技术、ICP技术或RIE技术刻蚀至N电极区域；制作透明导电层；制作P电极与N电极；在所述透明导电层上制备第一反射镜层，在衬底另一表面制备第二反射镜层；最后裂片完成独立发光二极管的制作。本发明采用外延选择性生长技术制作的发光二极管，能降低芯片对光线的全反射吸收，有利于光线从发光二极管内部射出，提高光在芯片侧壁的出光效率，同时利用双向反射镜提高了荧光粉的激发效率，进而提高芯片亮度。
申请日期	2012-09-28
专利号	CN103715319B
专利状态	授权
申请号	CN201210375884.X
公开（公告）号	CN103715319B
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01L33/10 \| H01L33/20 \| H01L33/00
专利代理人	李仪萍
代理机构	上海光华专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48294
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	上海蓝光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张楠,郝茂盛. 一种发光二极管及其制作方法. CN103715319B[P]. 2016-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103715319B.PDF（162KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文