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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4003250B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-07
发明人:  青木 雅博;  中原 宏治;  魚見 和久;  土屋 朋信;  佐藤 宏
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3774503B2, 申请日期: 2006-02-24, 公开日期: 2006-05-17
发明人:  紀川 健;  佐川 みすず;  平本 清久;  野本 悦子;  豊中 隆司;  魚見 和久
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3468612B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-17
发明人:  佐川 みすず;  平本 清久;  豊中 隆司;  篠田 和典;  魚見 和久;  青木 雅博;  佐藤 宏
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半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3425185B2, 申请日期: 2003-05-02, 公开日期: 2003-07-07
发明人:  近藤 正彦;  魚見 和久;  中村 均
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3202985B2, 申请日期: 2001-06-22, 公开日期: 2001-08-27
发明人:  大歳 創;  坂野 伸治;  魚見 和久;  茅根 直樹;  佐々木 真二
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半導体レーザモジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001094200A, 申请日期: 2001-04-06, 公开日期: 2001-04-06
发明人:  中原 宏治;  魚見 和久
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光伝送装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001024275A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
发明人:  須藤 剣;  魚見 和久;  土屋 朋信;  古森 正明
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歪量子井戸半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3053139B2, 申请日期: 2000-04-07, 公开日期: 2000-06-19
发明人:  佐川 みすず;  魚見 和久;  平本 清久;  辻 伸二
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利得結合分布帰還型半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000068601A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
发明人:  須藤 剣;  青木 雅博;  古森 正明;  大家 彰;  魚見 和久
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光伝送装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000066046A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
发明人:  佐藤 宏;  青木 雅博;  須藤 剣;  大家 彰;  土屋 朋信;  古森 正明;  魚見 和久
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