半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	佐川みすず; 平本清久; 豊中隆司; 篠田和典; 魚見和久; 青木雅博; 佐藤宏
	2003-09-05
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2003-11-17
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】本発明は、光通信システム、光情報システムにおける高出力半導体レーザ及び低コスト半導体レーザなどストライプ幅を共振器方向に変化させる構造を有する半導体レーザにおいて、モード変換に伴うモード損失が生じず且つ横モードが安定な半導体レーザを提供することにある。【構成】共振器方向に沿って幅が指数関数に従って変化しているストライプ、または共振器方向に沿って幅が指数関数に従って変化し且つ端面近傍では幅が一定であるストライプにより構成されている。【効果】本発明により、ストライプ幅を共振器方向に変化させる構造を有する半導体レーザにおいて、モード変換に伴うモード損失が生じず且つ横モードが安定な半導体レーザを実現した。このため、高出力半導体レーザにおいて高信頼化を実現した。さらに、パッシブアライメントが可能な半導体レーザを容易な方法で実現し歩留まり向上、低コスト化を実現した。
其他摘要	目的：通过一种方法，通过一种方法，其中高有效折射率区域的宽度沿着方向改变，以获得半导体激光器，其不会引起与模式转换相关的模式损失并且在横向模式下是稳定的。谐振器的宽度在谐振器方向上的一次微分在谐振器方向上连续并且没有拐点的状态下改变。组成：通过MOVPE方法选择性地生长N型InGaP电流限制层9。然后，从生长炉中取出晶片，并蚀刻掉用作选择性生长掩模的氧化膜。然后，通过MBE方法等形成P型GaAs接触层10。在形成P侧电极11和N侧电极12之后，通过解理方法获得具有长度为约900μm的谐振器的激光元件。然后，在元件的前表面（Ws（L）侧）形成厚度为λ/ 4（λ：振荡波长）并由Al2O3膜组成的低反射膜。在元件的Ws（O）侧的后表面上形成高反射膜，该高反射膜由SiO2膜和a-Si膜组成并形成为四层膜。然后，将元件粘合在散热器上，面向其粘合表面向下。
申请日期	1995-06-13
专利号	JP3468612B2
专利状态	失效
申请号	JP1995145856
公开（公告）号	JP3468612B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S5/223
专利代理人	作田康夫 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71271
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	佐川みすず,平本清久,豊中隆司,等. 半導体レーザ装置. JP3468612B2[P]. 2003-09-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3468612B2.PDF（128KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文