半導体レーザ素子およびその製造方法

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	半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法
	紀川健; 佐川みすず; 平本清久; 野本悦子; 豊中隆司; 魚見和久
	2006-02-24
专利权人	日本オプネクスト株式会社
公开日期	2006-05-17
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】従来の高出力半導体レーザでは、定光出力連続動作に伴って動作電流の急激な増加が生じ、十分な寿命時間を有する高信頼な半導体レーザを得ることができなかった。【解決手段】半導体レーザの光出射面の保護膜として少なくともその一部に窒化物層を含む絶縁物を形成する。保護膜形成前に自然酸化膜を除去すると更に有効である。【効果】本発明により、高出力半導体レーザにおいて長寿命化、高信頼化を容易な方法で実現し、歩留まり向上、低コスト化を実現した。
其他摘要	要解决的问题：即使在通过一种方法进行长时间操作之后抑制工作电流的增加，其中在作为光的保护膜的作为发光面的半导体面附近形成由氮化物构成的绝缘膜 -在作为氮化物的绝缘膜上形成除氮化物之外的绝缘膜。解决方案：在基板上依次形成缓冲层，包层，应变量子阱有源层，包层，光波导路径层，包层和盖层。接下来，形成脊，生长电流窄层并形成接触层。之后，形成p侧欧姆电极和n侧欧姆电极，并通过切割方法获得激光元件。之后，通过溅射法在元件的正面上形成包括含有氮化硅薄膜和氧化硅薄膜2的2层膜的低反射膜3，作为由氮化物构成的绝缘膜1，和在元件的背面上形成包括含有氮化硅薄膜和非晶硅薄膜的6层膜的高反射膜4。
申请日期	1996-04-17
专利号	JP3774503B2
专利状态	失效
申请号	JP1996095038
公开（公告）号	JP3774503B2
IPC 分类号	H01S5/028 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01S5/343
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77465
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	紀川健,佐川みすず,平本清久,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3774503B2[P]. 2006-02-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3774503B2.PDF（161KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文