半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	大歳創; 坂野伸治; 魚見和久; 茅根直樹; 佐々木真二
	2001-06-22
专利权人	日本オプネクスト株式会社
公开日期	2001-08-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To make it possible to perform highly efficient continuous oscillation even at high temperature by forming a semiconductor layer whose forbidden band width is larger than the forbidden band width of a semiconductor substrate or a semiconductor constituting a light emitting region as a flat layer at the outer surface part of the light emitting region in at least one part of a current blocking layer which is formed at the peripheral part of an active layer. CONSTITUTION:This device has a P-InP clad layer 7 in the central part (groove 6) on a P-type InP substrate 1, a crescent type active layer 8 comprising InGaAsP and a part on an N-InP current block layer 9. An N-InP layer 3, a P-InP layer 3, P-In0.52Al0.48As4 a current block layer comprising N-InP layer 5 are sequentially formed on the both sides of the groove 6, i.e., the light emitting region, on the upper surface of the substrate The semiconductor layer 4 which is larger than the forbidden band width of InP is provided so as to block the current injection into the P-InP current block layer 2 from the N-InP clad layer 9. Therefore, the generation of leak currents is less even at high temperature, and the laser oscillation can be performed at high efficiency.
其他摘要	用途：通过形成禁带宽度大于半导体衬底的禁带宽度或构成发光区域的半导体作为平坦层的半导体层，即使在高温下也能够进行高效的连续振荡。在电流阻挡层的至少一部分中的发光区域的外表面部分形成在有源层的外围部分处。组成：该装置在P型InP衬底1的中心部分（凹槽6）中具有P-InP包层7，包括InGaAsP的月牙型有源层8和N-InP电流阻挡层9上的部分。 N-InP层3，P-InP层3，P-In0.52Al0.48As4，包括N-InP层5的电流阻挡层依次形成在沟槽6的两侧，即发光区域，提供大于InP的禁带宽度的半导体层4，以阻止从N-InP包层9向P-InP电流阻挡层2中的电流注入。因此，即使在高温下泄漏电流的产生也较少，并且可以高效地执行激光振荡。
申请日期	1990-08-28
专利号	JP3202985B2
专利状态	失效
申请号	JP1990224373
公开（公告）号	JP3202985B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/227 \| H01S5/00
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83629
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大歳創,坂野伸治,魚見和久,等. 半導体レーザ装置. JP3202985B2[P]. 2001-06-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3202985B2.PDF（240KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文