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一种半导体激光器芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109638639A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
发明人:  颜建;  蒋培
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一种半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208272357U, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  颜建;  胡双元;  吴文俊;  黄勇;  米卡·瑞桑
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一种半导体激光器芯片及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108512035A, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2018-09-07
发明人:  颜建;  胡双元;  吴文俊;  黄勇;  米卡·瑞桑
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2020/01/13
一种半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207801149U, 申请日期: 2018-08-31, 公开日期: 2018-08-31
发明人:  胡双元;  颜建
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一种半导体激光器封装结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207801151U, 申请日期: 2018-08-31, 公开日期: 2018-08-31
发明人:  颜建;  胡双元;  黄勇;  何渊
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一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108011291A, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2018-05-08
发明人:  胡双元;  颜建
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一种半导体激光器封装结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107749561A, 申请日期: 2018-03-02, 公开日期: 2018-03-02
发明人:  颜建;  胡双元;  黄勇;  何渊
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一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
发明人:  周健华;  郝茂盛;  颜建锋;  潘尧波;  周圣明
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用于光电器件的多量子阱结构的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102103990A, 申请日期: 2011-06-22, 公开日期: 2011-06-22
发明人:  李淼;  颜建锋;  周健华;  徐黎杰;  郝茂盛
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