Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种半导体激光器 |
| 胡双元; 颜建 | |
| 2018-08-31 | |
| 专利权人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 公开日期 | 2018-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。 |
| 其他摘要 | 本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。 |
| 申请日期 | 2017-12-19 |
| 专利号 | CN207801149U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201721780337 |
| 公开（公告）号 | CN207801149U |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 马永芬 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73488 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡双元,颜建. 一种半导体激光器. CN207801149U[P]. 2018-08-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN207801149U.PDF（611KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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