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半导体光学元件的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101950924B, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  阿部真司;  川崎和重
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氮化物半导体装置的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101752783B, 申请日期: 2012-03-14, 公开日期: 2012-03-14
发明人:  阿部真司;  川崎和重
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半导体发光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102148477A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
发明人:  冈贵郁;  阿部真司;  川崎和重;  佐久间仁
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半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101877456A, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2010-11-03
发明人:  冈贵郁;  阿部真司;  川崎和重;  堀江淳一;  佐久间仁
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多波长半导体激光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101867157A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
发明人:  阿部真司
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氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志;  川崎和重;  阿部真司;  佐久间仁
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半导体光学元件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101276993A, 申请日期: 2008-10-01, 公开日期: 2008-10-01
发明人:  阿部真司;  川崎和重
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半导体光元件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101272037A, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2008-09-24
发明人:  阿部真司
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半导体激光器的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101262119A, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人:  中村仁志;  阿部真司;  西口晴美
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22
发明人:  竹見 政義;  小野 健一;  花巻 吉彦;  綿谷 力;  八木 哲哉;  西口 晴美;  佐々木 素子;  阿部 真司;  吉田 保明
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