Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体装置的制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体装置的制造方法 |
| 阿部真司; 川崎和重 | |
| 2012-03-14 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2012-03-14 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。 |
| 其他摘要 | 本发明得到一种能够防止真空吸附时的GaN基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将n型GaN基板(10)搭载在基板支持器(56)上的状态下，使由GaN类材料构成的半导体层(12)在n型GaN基板(10)的Ga面外延生长，然后用真空吸附装置(76)真空吸附n型GaN基板(10)的N面。但是，在使半导体层(12)外延生长时，n型GaN基板(10)翘曲使得Ga面的中央凹陷，半导体层(12)的原料气体绕入到n型GaN基板(10)的N面，并在n型GaN基板(10)的N面堆积外延沉积物(58)。因此，在使半导体层(12)外延生长之后，而且在真空吸附n型GaN基板(10)的N面之前，除去外延沉积物(58)。 |
| 申请日期 | 2009-11-25 |
| 专利号 | CN101752783B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN20091022658X |
| 公开（公告）号 | CN101752783B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 闫小龙 | 王忠忠 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48182 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司,川崎和重. 氮化物半导体装置的制造方法. CN101752783B[P]. 2012-03-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101752783B.PDF（773KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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