半導体レーザ素子およびその製造方法

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	半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法
	竹見政義; 小野健一; 花巻吉彦; 綿谷力; 八木哲哉; 西口晴美; 佐々木素子; 阿部真司; 吉田保明
	2004-07-22
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	2004-07-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】高濃度にドーピングしたp型GaAs層のp型ドーパントが活性層へ拡散することを防止しまたは抑制して、高キャリア濃度のコンタクト層を得る。その結果、素子抵抗を低減した、高出力·高効率の半導体レーザ素子を得る。【解決手段】半導体レーザ素子は、活性層3と、p型クラッド層2と、p型キャップ層1とが順に積層されている。p型キャップ層1bは、p型ドーパントおよびn型ドーパントの両方を含む。またはp型キャップ層は、第1のp型ドーパントで形成された、活性層から遠い第1の層1a、および、第1のp型ドーパントよりも拡散係数の小さい第2のp型ドーパントで形成された、活性層に近い第2の層1bを備えている。またはp型キャップ層1eは、p型ドーパントとして炭素(C)が添加されている。これらの構成によれば、p型ドーパントが活性層およびp型クラッド層側に拡散するのを防止できる。【選択図】図1
其他摘要	掺杂浓度的p型GaAs层的高p型掺杂剂被扩散到活性层或压制，以获得高载流子浓度的接触层防止。结果，获得了具有降低的元件电阻的高功率和高效率半导体激光器件。解决方案：在半导体激光器件中，有源层3，p型包覆层2和p型盖层1依次堆叠。 p型盖层1b包含p型掺杂剂和n型掺杂剂。或形成p型帽层中的第一p型掺杂剂，第一层1a远离有源层，和形成在比所述第一p型掺杂剂的第二小p型掺杂剂的扩散系数并且具有靠近有源层的第二层1b。或者p型盖层1e掺杂有碳（C）作为p型掺杂剂。根据这些配置，可以防止p型掺杂剂向有源层和p型覆层扩散。点域1
申请日期	2003-07-17
专利号	JP2004207682A
专利状态	授权
申请号	JP2003276127
公开（公告）号	JP2004207682A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01L21/22 \| H01L27/15 \| H01L21/205 \| H01S5/042
专利代理人	河宮治 \| 石野正弘 \| 稲葉和久
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81844
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	竹見政義,小野健一,花巻吉彦,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2004207682A[P]. 2004-07-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2004207682A.PDF（212KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文