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| 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 发明人: 魏志鹏; 贾慧民; 唐吉龙; 牛守柱; 王登魁; 王新伟; 冯源; 王晓华; 马晓辉 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:213/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种发光效率增强的半导体激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 发明人: 魏志鹏; 方铉; 牛守柱; 唐吉龙; 王登魁; 房丹; 王海珠; 李金华; 楚学影; 马晓辉; 王晓华 Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:147/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 一种可精确定位的红外甲烷测量装置及测量方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN109900656A, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18 发明人: 葛亮; 母小琳; 黄龙; 胡泽; 韦国晖; 石明江; 赖欣; 杨青; 邓魁; 陈旭阳; 李莉; 唐泽江; 王博雅 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:189/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21 发明人: 方铉; 魏志鹏; 唐吉龙; 房丹; 贾慧民; 王登魁; 王菲; 李金华; 楚学影; 王晓华 Adobe PDF(93Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:144/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 一种垂直腔面发射半导体激光器电极 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069423A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18 发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 方铉; 王新伟; 楚学影; 王登魁; 王菲; 冯源; 张晶; 王晓华 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:119/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 一种半导体激光器热沉 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684700A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17 发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 王登魁; 王菲; 冯源; 李金华; 楚学影; 王晓华 Adobe PDF(94Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:90/0  |  提交时间:2019/12/31 |