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一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN108183391B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  贾慧民;  唐吉龙;  牛守柱;  王登魁;  王新伟;  冯源;  王晓华;  马晓辉
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一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
发明人:  魏志鹏;  方铉;  牛守柱;  唐吉龙;  王登魁;  房丹;  王海珠;  李金华;  楚学影;  马晓辉;  王晓华
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一种可精确定位的红外甲烷测量装置及测量方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109900656A, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
发明人:  葛亮;  母小琳;  黄龙;  胡泽;  韦国晖;  石明江;  赖欣;  杨青;  邓魁;  陈旭阳;  李莉;  唐泽江;  王博雅
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一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21
发明人:  方铉;  魏志鹏;  唐吉龙;  房丹;  贾慧民;  王登魁;  王菲;  李金华;  楚学影;  王晓华
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一种垂直腔面发射半导体激光器电极 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069423A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  方铉;  王新伟;  楚学影;  王登魁;  王菲;  冯源;  张晶;  王晓华
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一种半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684700A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
发明人:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  王登魁;  王菲;  冯源;  李金华;  楚学影;  王晓华
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