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半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3425185B2, 申请日期: 2003-05-02, 公开日期: 2003-07-07
发明人:  近藤 正彦;  魚見 和久;  中村 均
Adobe PDF(64Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：79/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治
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化合物半導体の形成方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
发明人:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳
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面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  北谷 健;  近藤 正彦;  中原 宏治;  マイク ラルソン
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GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  近藤 正彦;  北谷 健;  中原 宏治
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光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998270804A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
发明人:  後藤 順;  近藤 正彦;  皆川 重量;  河田 雅彦;  赤松 正一
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結晶成長方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
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半導体光素子とそれを用いた応用システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997219563A, 申请日期: 1997-08-19, 公开日期: 1997-08-19
发明人:  近藤 正彦;  宮原 裕二;  魚見 和久
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半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2641484B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-13
发明人:  近藤 正彦;  皆川 重量
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半導体装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996274026A, 申请日期: 1996-10-18, 公开日期: 1996-10-18
发明人:  奥野 八重;  近藤 正彦;  魚見 和久
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