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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3202985B2, 申请日期: 2001-06-22, 公开日期: 2001-08-27
发明人:  大歳 創;  坂野 伸治;  魚見 和久;  茅根 直樹;  佐々木 真二
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半導体光素子および光通信システム 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2889594B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
发明人:  魚見 和久;  大歳 創;  土屋 朋信;  佐々木 真二;  茅根 直樹
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2702964B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-26
发明人:  茅根 直樹;  魚見 和久;  三島 友義
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2633833B2, 申请日期: 1997-04-25, 公开日期: 1997-07-23
发明人:  斉藤 勝利;  小林 正道;  反町 進;  柏田 泰利;  茅根 直樹
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半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2539416B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-10-02
发明人:  岡井 誠;  魚見 和久;  辻 伸二;  茅根 直樹;  原田 和英
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半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2515729B2, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-07-10
发明人:  魚見 和久;  茅根 直樹;  ▲吉▼沢 みすず;  中塚 慎一;  梶村 俊
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半導体レ—ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2515725B2, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-07-10
发明人:  小野 佑一;  茅根 直樹;  中塚 慎一;  梶村 俊
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996051256A, 申请日期: 1996-02-20, 公开日期: 1996-02-20
发明人:  斉藤 勝利;  辻 伸二;  大石 昭夫;  茅根 直樹
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光ピツク·アツプ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996012726B2, 申请日期: 1996-02-07, 公开日期: 1996-02-07
发明人:  大石 昭夫;  金井 実代;  茅根 直樹;  山口 憲
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半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996004171B2, 申请日期: 1996-01-17, 公开日期: 1996-01-17
发明人:  葛西 淳一;  茅根 直樹;  三島 友義;  白木 靖寛
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