半導体レ-ザ装置

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	半導体レ-ザ装置
其他题名	半導体レ-ザ装置
	岡井誠; 魚見和久; 辻伸二; 茅根直樹; 原田和英
	1996-07-08
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1996-10-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To reduce a parasitic capacitance related to a junction current block layer by more than 90 % and therefore to realize a super-high speed modulation more than 20 GHz by a method wherein impurity ions with deep level for a semiconductor material crystal are implanted into a part containing a pnp or an npn current block layer for semi-insulation. CONSTITUTION:An n-type InGaAs optical guide layer 2, an un-doped InGaAsP active layer 3, a P-type InGaAs buffer layer 4, and a P-type InP clad layer 5 are successively formed on an n-type InP substrate 1 surface, and a mesa- stripe, where an active layer about 1 mum wide is left, is formed thereafter. Next, a p-type InP buried layer 6 and an n-type InP layer 7 are grown at both sides of the mesa-stripe for the formation of a current block layer and a process follows, wherein a p-type InP clad layer 8 and a p-type InGaAsP gap layer 9 are formed on the whole surface. And, elements such as Fe, Cu, Cr, B, and the like are ion-implanted into both sides of the active layer with varying the accelerating energy at a few levels ranging from 0.75 to 3 MeV for semi- insulation. By these processes, a parasitic capacitance can be reduced from 10-40pF to 1-3pF.
其他摘要	目的：通过一种方法，将与结电流阻挡层相关的寄生电容降低90％以上，从而实现超过20 GHz的超高速调制，其中半导体材料晶体的深度杂质离子被注入包含pnp或npn电流阻挡层的部件，用于半绝缘。组成：n型InGaAs光导层2，未掺杂的InGaAsP有源层3，P型InGaAs缓冲层4和P型InP包层5依次形成在n型InP衬底1上然后形成表面和台面条，其中留下约1μm宽的有源层。接着，在台面条的两侧生长p型InP埋层6和n型InP层7，以形成电流阻挡层，然后进行工艺，其中p型InP包层8在整个表面上形成p型InGaAsP间隙层9。并且，将诸如Fe，Cu，Cr，B等元素离子注入到有源层的两侧，同时改变加速能量，在0.75至3MeV的范围内用于半绝缘。通过这些工艺，寄生电容可以从10-40pF降低到1-3pF。
申请日期	1987-03-25
专利号	JP2539416B2
专利状态	失效
申请号	JP1987068819
公开（公告）号	JP2539416B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77978
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	岡井誠,魚見和久,辻伸二,等. 半導体レ-ザ装置. JP2539416B2[P]. 1996-07-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2539416B2.PDF（28KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文