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III族窒化物半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007067432A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15
发明人:  笹岡 千秋
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三族氮化物半導體元件及三族氮化物半導體基板 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW531908B, 申请日期: 2003-05-11, 公开日期: 2003-05-11
发明人:  岡 千秋;  笹岡 千秋
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p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3217004B2, 申请日期: 2001-08-03, 公开日期: 2001-10-09
发明人:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  仁道 正明
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窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3147821B2, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-03-19
发明人:  木村 明隆;  砂川 晴夫;  仁道 正明;  笹岡 千秋
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III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000012976A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
发明人:  黒田 尚孝;  砂川 晴夫;  笹岡 千秋
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窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998341060A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22
发明人:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  山口 敦史;  仁道 正明
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III族窒化物半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006121107A, 公开日期: 2006-05-11
发明人:  笹岡 千秋
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