III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法

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	III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
其他题名	III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
	黒田尚孝; 砂川晴夫; 笹岡千秋
	2000-01-14
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	2000-01-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明の目的は、格子定数や熱膨張係数が異なる異種基板上にヘテロエピタキシャル成長したIII-V族化合物半導体厚膜においても非常に平坦な表面モホロジーが得られるエピタキシャル成長方法を提供することにある。【解決手段】 0.3°以上のオフオリエンテションを有する基板の上に、マスクを用いて選択成長領域を設け、この領域に前記基板と格子定数または熱膨張係数の異なるIII-V族化合物半導体をファセット構造を形成しながら、さらにはマスクとともにこのファセット構造を埋め込みながら成長させることにより、非常に平坦性の良いIII-V族化合物半導体膜が得られる。また、このIII-V族化合物半導体膜の上にダブルヘテロ接合を含む半導体積層構造を形成することにより、結晶欠陥が非常に少なく、素子寿命の長い発光素子が得られる。
其他摘要	本发明的一个目的是提供一种外延生长方法获得非常光滑的表面形态，即使在III-V族化合物半导体厚膜晶格常数和热膨胀系数是异质外延生长不同的异质衬底上一。甲在具有0.3°或更大关闭东方部署的基板由在该区域中使用的掩模，基板的面不同III-V族化合物半导体的晶格常数或热膨胀系数而形成的，选择性生长区通过在形成结构的同时生长并进一步将该小平面结构与掩模一起填充，可以获得具有非常好的平面性的III-V族化合物半导体膜。此外，通过形成半导体多层结构，包括在III-V族化合物半导体膜的双异质结，晶体缺陷是非常小的，长的发光元件的器件寿命。
申请日期	1998-06-23
专利号	JP2000012976A
专利状态	失效
申请号	JP1998176098
公开（公告）号	JP2000012976A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01S5/30 \| H01L \| H01S5/02 \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/16 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	若林忠 (外4名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88608
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	黒田尚孝,砂川晴夫,笹岡千秋. III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法. JP2000012976A[P]. 2000-01-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000012976A.PDF（50KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文