p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子

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	p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
其他题名	p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子
	木村明隆; 笹岡千秋; 仁道正明
	2001-08-03
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	2001-10-09
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】 p型のドーパントであるマグネシウムの発光層への拡散を防止することによって、バンド間遷移確率の高い窒化ガリウム系レーザまたは設計値通りのスペクトルで発光する窒化ガリウム系発光ダイオードなどの窒化ガリウム系発光素子を提供すること。【解決手段】マグネシウムが添加されたp型半導体層と発光層の間に、珪素が添加されたn型半導体層を形成する。前記n型半導体層がマグネシウムの拡散を防止するため、マグネシウムがp型半導体層から発光層へと拡散することがない。よって、本発明の窒化ガリウム系レーザは、量子井戸層に於けるバンド間遷移確率が低下することがなく、発振しきい値電流が低い。また本発明の発光ダイオードは、発光が期待したスペクトルからずれることがない。
其他摘要	要解决的问题：为了防止作为p型掺杂剂的镁扩散到发光层中，具有高带间跃迁概率的氮化镓基激光器或发射具有设计值光谱的光的氮化镓基发光二极管基于发光器件。解决方案：在掺杂有镁的p型半导体层和发光层之间形成添加有硅的n型半导体层。由于n型半导体层防止镁的扩散，因此镁不会从p型半导体层扩散到发光层。因此，在本发明的氮化镓基激光器中，量子阱层中的带间跃迁概率不降低并且振荡阈值电流低。此外，本发明的发光二极管不偏离预期发光的光谱。
主权项	-
申请日期	1997-01-16
专利号	JP3217004B2
专利状态	失效
申请号	JP1997005231
公开（公告）号	JP3217004B2
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01L \| H01S \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44427
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	木村明隆,笹岡千秋,仁道正明. p型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子. JP3217004B2[P]. 2001-08-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3217004B2.PDF（30KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文