窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子

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	窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
其他题名	窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
	木村明隆; 砂川晴夫; 仁道正明; 笹岡千秋
	2001-01-12
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	2001-03-19
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】結晶性が良くかつクラック密度の小さく、サファイア基板上に基板とへき開面が一致する窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するための結晶成長方法を提供し、結晶性がよく、歩留まりの高い窒化ガリウム系発光素子を実現する。【解決手段】基板としてC面サファイア基板を用い、かつ、低温成長バッファ層としてInx Ga1-x N(0.894≦xx Ga1-x N(0≦xx Ga1-x N低温成長バッファ層中のインジウムの再蒸発を抑制する。
其他摘要	要解决的问题：通过一种方法通过解理形成镜面，其中在蓝宝石衬底的特定表面上形成InGaN层，然后生长氮化镓或氮化铟或氮化铝或它们的混合晶体。解决方案：在蓝宝石衬底101的表面上形成InxGa1-xN层102（0.894≤x<1），该蓝宝石衬底101是（0001）面或倾斜形成5°角的平面。具有（0001）面或更小的氮化镓或氮化铟或氮化铝或其上形成的混晶。此时，InxGa1-xN层102在400或更高的温度下生长到600℃或更低。高温生长外延层103至111的解理面与衬底101的解理面平行。因此，可以通过切割衬底101来形成谐振器的镜面，从而实现诸如干蚀刻工艺的复杂工艺。可以省去，并且镜面平滑度优越。
申请日期	1997-06-13
专利号	JP3147821B2
专利状态	失效
申请号	JP1997156795
公开（公告）号	JP3147821B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/16 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47628
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	木村明隆,砂川晴夫,仁道正明,等. 窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子. JP3147821B2[P]. 2001-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3147821B2.PDF（34KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文