Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III族窒化物半導体光素子 | |
| 其他题名 | III族窒化物半導体光素子 |
| 笹岡 千秋 | |
| 2007-03-15 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 2007-03-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術を提供するとともに、これにより実現される新規な素子構造を提供する。 【解決手段】電流狭窄層308を以下のプロセスにより形成する。低温堆積により非結晶層を形成した後、エッチングにより開口部を設ける。その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でp型クラッド層309より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。非結晶層の形成温度を約400℃、p型クラッド層309より上部の層の形成温度を1100℃程度とする。 【選択図】図3 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供使III族氮化物半导体易于加工的技术，以及由此获得的新元件结构。解决方案：通过以下步骤形成电流收缩层308。在通过低温沉积形成非晶层之后，通过蚀刻形成开口。然后通过在高于非晶层形成温度的温度下在p型包覆层309上方形成层，将非晶层变为晶体层。非晶层的形成温度设定为约400℃，p型包覆层309上方的层的形成温度设定为约1,100℃。 Ž |
| 申请日期 | 2006-10-30 |
| 专利号 | JP2007067432A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2006294614 |
| 公开（公告）号 | JP2007067432A |
| IPC 分类号 | H01L21/338 | H01L29/812 | H01S5/323 | H01L29/778 | H01S5/00 | H01L21/02 | H01L29/66 |
| 专利代理人 | 机 昌彦 | 下坂 直樹 | 谷澤 靖久 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84347 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹岡 千秋. III族窒化物半導体光素子. JP2007067432A[P]. 2007-03-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2007067432A.PDF（127KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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