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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3717255B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  永井 誠二;  山崎 史郎;  小池 正好;  冨田 一義;  加地 徹
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999177185A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02
发明人:  小池 正好;  手銭 雄太;  永井 誠二;  湧口 光雄
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3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999126949A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
发明人:  小池 正好;  永井 誠二
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GaN系素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998173227A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26
发明人:  小池 正好;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩
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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998163577A, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-06-19
发明人:  小出 典克;  小池 正好;  山崎 史郎;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩
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3族窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998150219A, 申请日期: 1998-06-02, 公开日期: 1998-06-02
发明人:  永井 誠二;  山崎 史郎;  小池 正好
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GaN系発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998145004A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:  小池 正好;  永井 誠二;  山崎 史郎;  平松 敏夫;  赤崎 勇;  天野 浩
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135514A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  小出 典克;  浅見 慎也;  梅崎 潤一;  小池 正好;  山崎 史郎;  永井 誠二
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3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997283861A, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1997-10-31
发明人:  山崎 史郎;  永井 誠二;  小池 正好
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3族窒化物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997129925A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
发明人:  山崎 史郎;  永井 誠二;  小池 正好;  赤崎 勇;  天野 浩
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