3族窒化物半導体レーザ素子

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	3族窒化物半導体レーザ素子
其他题名	3族窒化物半導体レーザ素子
	永井誠二; 山崎史郎; 小池正好; 冨田一義; 加地徹
	2005-09-09
专利权人	豊田合成株式会社
公开日期	2005-11-16
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】3族窒化物半導体にて形成されるSCH構造のレーザ素子の光及びキャリア閉じ込め効果を損なうことなくp層側での結晶成長時間を短くすること。又結晶にクラックが発生することを抑制すること。【解決手段】3族窒化物半導体により形成されるSCH構造のレーザ素子において、クラッド層71をGaN にて、ガイド層62をInGaN にて形成することにより、光及びキャリア閉じ込め効果を損なうことなくp層側での結晶成長時間を短くできた。この結果、活性層5が高熱に晒される時間が短くなったことにより活性層5の結晶性の悪化が少なくなった。さらに、n-クラッド層4も従来のGaN にて形成することにより、従来のAlGaN で形成されたクラッド層よりも厚く成長させてもクラックが発生することがないので、光閉じ込めに十分な厚さまで成長させることができた。
其他摘要	A组III缩短p层侧的晶体生长时间，而不损害由氮化物半导体形成的SCH结构的激光装置的光学和载流子限制效应。另外，抑制晶体裂缝的发生。在具有由III族氮化物半导体形成的SCH结构的激光元件中，通过用GaN形成包层71并且用InGaN形成引导层62，p可以缩短层侧的晶体生长时间。结果，缩短了有源层5暴露于高热的时间，从而降低了有源层5的结晶度的劣化。此外，也不会产生由于裂纹比AlGaN形成常规包层较厚生长正包层4也通过形成在常规的GaN，直到足够的厚度的光学限制我能够成长。
主权项	-
申请日期	1996-12-26
专利号	JP3717255B2
专利状态	失效
申请号	JP1996358987
公开（公告）号	JP3717255B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	藤谷修
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45828
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	豊田合成株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	永井誠二,山崎史郎,小池正好,等. 3族窒化物半導体レーザ素子. JP3717255B2[P]. 2005-09-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3717255B2.PDF（457KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文